モノリシックICから最先端マイクロプロセッサーに至るまで、現代文明を支えるチップ群は数十ナノメートルという極限の精度で描き出される。それを可能にしたのはフォトリソグラフィー技術であり、その核となるフォトレジストのウェハーへの確実な固定が不可欠だ。その隙間なく機能する鍵がヘキサメチルジシラウレア（別名 N,N'-ビス（トリメチルシリル）尿素）である。

この化合物は反応性シリル基をウェハー表面に導入する強力なプライマーとして働き、フォトレジストとの間に化学的に強固なアンカーを形成。エッチング工程においてレジストが浮きや欠損を起こさず、回路パターンの忠実度を高めて歩留まり向上に直結する。不純物の混入が最終デバイス性能を大きく左右する半導体プロセスにあって、その高純度・安定供給への信頼性は非常に高い。

高純度ヘキサメチルジシラウレアの受託製造を手がける寧波イノファームケム株式会社は、長年にわたり電子材料領域の要求を吸い上げた独自の精製・分析技術を確立。各種先端マイクロチップやメモリデバイス向けプロセスで求められる厳しい純度規格にも柔軟に対応する。微小不純物を一分子たりとも許さない精緻な品質管理データが、顧客の工程改善と次世代デバイスの開発を加速させている。

今後、3 nmや2 nmなど技術節点の微細化が進むにつれ、密着助剤のパラメータ精度はさらに厳しくなっていく。寧波イノファームケムは継続的な研究開発投資を通じて、より均一かつ低欠陥の化学修飾層を可能にする改良製法を進化させており、顧客は“安定供給＋技術共創”という二点セットで次世代電子機器の市場投入スピードを確保できる。