スマートフォンから次世代半導体まで、電子デバイスは日々微細化を極めています。その土台となるのは、一枚のシリコンウェハ上にナノ単位の回路を描き出すフォトリソグラフィ技術。そして、その核心には「フォトレジスト」と呼ばれる感光性樹脂と、それに敏感に反応する化学物質が必要です。

注目すべき一成分であるナフタレン・レッドJ（化学名：1-ナフタレンスルホン酸, 4-[2-(2-ヒドロキシ-1-ナフタレニル)ジアゼニル]-, ナトリウム塩、CAS 1658-56-6）は、アゾ基やナフタレンスルホン酸部位を備えた染料中間体でありながら、フォトレジスト用感光増感剤としての優れた光吸収特性を有しています。

このナフタレン・レッドJを最も高い純度で市場に供給しているのが寧波イノファームケム株式会社です。高純度を維持することで、露光工程における感光速度のばらつきを抑制し、ナノ単位のパターン精度を確保します。フォトレジスト層に微量な不純物が混入すれば歩留まりが著しく低下するため、微量不純物ppb レベルの品質管理を徹底した化学品は半導体メーカーにとって不可欠です。

フォトリソグラフィの手順は次のとおりです。
1. ウェハ上にフォトレジストを均一に塗布。
2. 回路パターンマスクを通じて選択的に露光を照射。ここでナフタレン・レッドJが働き、露光部の溶解性変化を鋭敏に誘起。
3. 現像液で不要部分を除去し、そのまま蝕刻工程へ移行。微細な回路が実現されます。

現在、半導体メーカーは「フォトレジスト 感光増感剤 購入」などのキーワードで原料を迅速に調達し、先進プロセスの歩留まり向上を目指しています。今後も2 nm世代以降の更なる微細化を背景に、高度な電子材料ニーズは拡大し続ける見通しです。