Nachrichtenartikel zum Tag: Dünnschichten

Präzise Dünnschichten durch MOCVD: Die entscheidende Rolle von 1,2,3,4,5-Pentamethylcyclopentadien

1,2,3,4,5-Pentamethylcyclopentadien – essenzieller Precursor in der MOCVD für ultra-präzise Dünnschicht-Abscheidungen in modernen Materialien.

Dünnschichten und Hochleistungsmaterialien: CVD-Einsatz von (Trimethylsilyl)methyllithium mit NINGBO INNO PHARMCHEM

Erfahren Sie, wie (Trimethylsilyl)methyllithium als Precursor in der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) für siliziumhaltige Dünnschichten eingesetzt wird. NINGBO INNO PHARMCHEM CO.,LTD. beleuchtet die Vorteile in der Werkstoffwissenschaft und die Vertriebsverfügbarkeit.

HMDS – zentraler Precursor für CVD-Hochleistungsbeschichtungen

HMDS als vielseitiger Precursor in der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) – die Schlüsselkomponente für Hochleistungs-Beschichtungen und dünne Silizium-Schichten.