ノード微細化の絶え間ない追求の中で、極紫外線（EUV）リソグラフィは先進的な半導体製造の要となっています。化学増幅レジスト（CAR）の性能は、その構成成分、特に光酸発生剤（PAG）とマトリックスポリマーの純度に依存します。しかし、あまり注目されないものの同等に重要な要素として、レジスト配合に使用される芳香族アルデヒドビルディングブロックの純度が挙げられます。その一つである2-(トリフルオロメトキシ)ベンズアルデヒド（CAS 94651-33-9）は、溶解抑制剤やその他のレジスト成分の合成における重要な中間体です。調達マネージャーにとって、このフッ素化ベンズアルデヒドに含まれる微量アミン不純物の影響を理解することは、一貫したリソグラフィ性能を確保するために不可欠です。本稿では、この特殊化学品に対する厳格な純度要件、COA指標、およびサプライチェーン上の考慮事項を考察し、高純度材料の信頼できる供給源としてNINGBO INNO PHARMCHEM CO.,LTD.の位置づけを明らかにします。
