中国・寧波発 – 寧波イノファームケム株式会社は、最先端デバイス製造を支える電子工業向けジメチルスルホキシド（DMSO）の戦略的重要性にスポットを当てた技術レポートを公開しました。半導体の微細化・立体化が進む中、ナノレベルの純度が製品歩留まりを左右する時代に突入しています。

回路形成に用いるシリコンウェハは、数原子分の不純物でも歩留まり低下の原因に。電子工業用DMSOは金属イオン含有量をppb（10億分の1）レベルに抑えており、ウェハクリーニングやフォトレジスト剥離工程における汚染を根絶します。有機残渣や微粒子、金属汚染を効果的に除去することで、次世代チップが求める原子レベルの平坦性を実現します。

フォトレジスト剥離工程に適したDMSO系フォーミュレーションは、ポジ型・ネガ型を問わず高い除去選択比を示し、下地のLow-k膜などを傷つけることなく微細パターンを露呈。これにより3 nmノード以降の多層配線形成にも対応し、チップの消費電力削減と動作速度向上に貢献します。

またDMSOの高誘電率と耐電圧特性は、リチウムイオン電池の電解液添加剤としても注目され、充放電サイクル寿命の延伸および安全性向上に寄与。半導体プロセスのみならず、次世代エレクトロニクス全体の信頼性担保に幅広く活用されています。

寧波イノファームケム株式会社は、ISO 14644 Class 5準拠のクリーンルームで一貫生産し、ICP-MS（誘導結合プラズマ質量分析法）による金属分析を全ロット実施。最先端プロセスに対応したロットトレーサビリティと安定供給体制で、グローバル半導体メーカーのニーズに応え続けます。